当社アルミ箔を用いた微細基板(L/S:5/5µm)実現のお知らせ
2024.07.01お知らせ
当社は2020年より米国LQDX社(旧Averatek社)と共同で最先端プリント基板配線技術の開発を行ってきました。今回LQDX社は、保有する先端基板工法A-SAP™(パラジウム触媒付きアルミ箔をキャリアとして用いる先端基板工法)の製造ライセンスの供与に関し関西電子工業株式会社と契約締結に至りました。これにより、従来L/S:30/30µmが主流であった基板の線間線幅をより精密なL/S :20/20μmまでファイン化し、開発レベルではL/S:5/5µmまで飛躍させることができました。
| 東洋アルミニウム株式会社 | LQDX社 | 関西電子工業株式会社 | |
| 役割 | 超微細粗面化アルミ箔の開発 (Ranafoil™シリーズ) |
ナノレベルの厚みでパラジウム層の形成を可能にするリキッドメタルインク(LMIx™)及びそれを用いた先端基板工法(A-SAP)の開発 | 両社の技術を用いた微細基板の製造 |
今後の目標として2025年までに関西電子工業株式会社によるL/S:2/2µm製品の実現を目指し、日本・アジア市場で急速に拡大する半導体基板・高密度基板の需要の獲得を支援していきます。また、パラジウム触媒付きアルミ箔を利用した「転写工法」により難メッキ材料など様々な樹脂と組み合わせた製品の実現を共に目指します。
※「A-SAP」、「LMIx」はLQDX社の商標または登録商標です。
当社Ranafoil™モデル4を使用したA-SAP™工法で
関西電子工業株式会社にて作成されたL/S :5/5µm 配線基板
