シリコンゲルマニウム
次世代半導体基板 SiGe/Siウェハ
シリコンゲルマニウム（SiGe）ベースの半導体デバイスは、その高いキャリア移動度、低消費電力など優れた性能により、次世代の半導体材料として期待されています。当社ではSi 基板上へのAl-Ge ペーストの印刷と熱処理によるSiGe 液相エピタキシー法を考案しました。
概要
特殊な装置を必要とせず、Si 基板上にCVD やMBE では形成困難な数十μｍの厚いSiGe 層を簡便に形成しSiGe/Si ウェハを製造します。
特徴
Si 基板上にCVD やMBE では形成困難な数十μｍの厚いSiGe 層を簡便に形成することができます。 印刷と熱処理のみでSiGe 層を形成できるため、大面積化も期待できます。 また、形成されるSiGe 層は使用するAl-Ge ペースト中のAl とGeの比率を変更することにより、SiGe 層の厚みやSi とGe の比率を調整することが可能であることも特徴です。